氮化铝陶瓷(Aluminium nitride ceramics）的主要成分的化学式为AIN，是一种共价键很强的陶瓷材料。

1．产品性能

属六方晶系，纤锌矿型结构。具有高导热系数，热压AIN陶瓷的导热系数可达0.7W/cm·K。纯度和密度对AIN陶瓷的导热系数有重要影响。杂质对其导热系数的影响也很敏感，氧是主要杂质。有与硅等半导体芯片相配的热膨胀系数。AIN陶瓷还具有抗热震好、低介电常数和高电阻率等特点。

2．生产方法

在氮气氛中由超纯铝电极间产生直流电弧合成氮化铝粉末，然后热压烧结。

3．工艺流程

4．生产工艺

(1）制备AIN粉末 在N₂气中由超纯Al电极间产生直流电弧合成得到AIN。也可以用纯净的Al粉在适当温度下，通N₂直接氮化合成。但氮化往往只在铝粉表面进行，反应物料需要重复进行粉碎和氮化。也可以先在较低温度下（例如700℃）通N₂氮化。

(2）热压烧结将氮化铝粉末成型后进行热压烧结。烧结温度1700-1800℃，密度可达理论密度的98％,弯曲强度高达300MPa以上。有一种半透明AIN陶瓷基片，原料是Al₂0₃还原法合成的高纯度、细晶粒AIN粉末，料粉中按1.0％CaO（质量比）计添加Ca(N0₃)₂烧结剂，用流延或干压法成型，热压烧结或常压烧结。可制得半透明高致密的AIN陶瓷材料。

5．产品用途

用作集成电路基片。也可用作电绝缘材料、高温耐蚀材料、熔炼铝和制备砷化镓半导体的器皿。