二氯二氢硅（Dichlorxilane）分子式SiH₂Cl₂，相对分子质量101.01。结构式为：

1．产品性能

常温常压下，是一种高可燃、具腐蚀性的有毒气体，沸点8.2℃，熔点一122℃。蒸气压：101.33kPa(8.2℃，167.18kPa (20.0℃)，303.98kPa (40℃)，526.89kPa(60℃)。在21.1℃和101.3kPa下气体比容0.239m³/kg。液体密度：1235kg/m³(21.1℃), 1188kg/m³ (40.6℃)。临界温度176.0℃，临界压力467kPa,临界密度463kg/m³。与空气和氧化剂混合形成燃混合气。在空气中的可燃限4.1％～98.8％（体积分数）；自燃温度58℃。在空气中能点燃，其蒸气比空气重得多。与水或水汽接触迅速水解产生硅、硅氧烷和盐酸。与眼睛、皮肤和黏膜接触会导致严重烧伤。在水中发生反应。

2．生产方法

在催化剂存在下，三氯氢硅歧化得到二氯二氢硅。

2SiHC1₃→SiH₂Cl₂+SiC1₄

三氯氢硅加氢还原制备多晶硅中，尾气中可提取二氯二氢硅。得到的二氯二氢硅经精馏、络合、纯化、吸附等工艺，可得到电子级二氯二氢硅。

一般二氯二氢硅中的主要杂质是三氯化硼。从半导体意义上讲，器件的成品率、电学特性的优劣，在很大程度上取决于硅源中活性组分硼的含量高低。由于三氯化硼同二氯二氢硅的沸点相差仅为4℃，因此，采用传统的精馏提纯法，若要将三氯化硼杂质除到“10-9”数量级，需要较高的精馏塔，这在实际中实现起来很困难。采用吸附法也很难将BCl₃降到“10-9”水平。从分子结构上看BC1₃分子中的硼原子是三价并具有六电子外层结构，这使得它成为强电子接受体，而能够与在其组成中具有电子给予体的原子（如O,N,S)的分子化合形成络合分子，达到除硼的目的，因此络合法是一个有效的纯化方法。

3．工艺流程

4．生产工艺

将二氯二氢硅粗品进行精馏，然后进行络合吸附。由于络合剂多为高沸点的油状或结晶状的高黏稠物质，为了使络合剂在使用时能充分同二氯二氢硅接触，同时避免含碳络合剂在使用过程中流失而沽污产品，在操作中应选用对强腐蚀性二氯二氢硅十分稳定的多孔吸附剂作为络合物的担体。由于二氯二氢硅分子不稳定，在多孔吸附剂中容易发生歧化反应（SiH₂CI₂→SiH₃Cl+SiCI₄）从而影响二氯二氢硅的正常使用，因此，在使用前必须对此担体进行化学改性。采用物理方法将络合剂均匀地载涂在担体上，所有操作都是严格在无氧、无水、无尘埃下进行，否则，担体或络合剂会导致高纯二氯二氢硅受到污染。络合吸附系统处理好后，导入精馏二氯二氢硅，开始几分钟的纯化产品不要收集，目的是让二氯二氢硅来冲洗、置换系统。络合反应器内发生下列反应：

M+E_xCl_y→M·E_xCl_y

M+PCI₅→M·PCI₅

式中，M—络合剂；E—各种金属离子。

络合纯化对除去SiHCI₂中痕量杂质非常有效，产品可满足电子工业要求。

5．产品标准

6．产品用途

电子级二氯二氢硅是半导体工业重要的硅源气，具有沉积速度快，沉积薄膜均匀、沉淀温度较低等特点。主要用于多晶硅外延生长以及化学汽相沉积二氧化硅和氮化硅。它是一种性能优良的外延沉积材料。它的硅含量（质量比）比三氯氢硅和四氯化硅的高。二氯二氢硅沉积硅更有效，且沉积温度比其他氯硅烷低。在降低温度条件下，采用二氯二氢硅沉积厚层所需时间大大低于采用硅烷所需时间。

形成的沉积薄膜均匀。生成的外延硅完全符合大规模集成路（VLSI）对硅源的要求。

7．安全与贮运

SiH₂Cl₂为易燃、有毒和腐蚀性物质，TLV值未定，可采用氯化氢的TWA值，即5×10^-6 (ACGIH)。在空气中水解转化为氯化氢，吸入后可引起呼吸道发炎和刺激、喉痉挛和肺水肿。液体接触皮肤能引起剧烈的组织刺激和坏死。生产操作和贮运中应采取有效防措施。

SiH₂Cl₂气瓶绝不能置于高于51.7℃的环境中，否则会引起气瓶超压，绝不允许接触明火。二氯二氢硅自燃温度低，暴露于热源附近或由于水与二氯二氢硅反应均可引起自燃。二氯二氢硅泄漏时燃烧生成的酸分解物可迅速侵蚀泄漏区金属。在二氯二氢硅系统投入使用之前，必须彻底检查全部管线、接头、设备等是否有漏处。必须使用防火花工具和防爆设备。

二氯二氢硅包装标志：有毒气体。副标志：易燃气体。当完全不含水时，二氯二氢硅可用普通碳钢瓶包装。若有少量水存在，由于与水反应体系生成氯化氢，呈强腐蚀性，所以处理二氯二氢硅的设备必须用干燥的惰性气体吹干。输送时最好用干氟乙烯、镍、蒙乃尔及某些型号的不锈钢。国内采用内壁涂层的碳钢瓶包装。

气瓶贮存于阴凉、通风、干燥处，远离火源、辐射热源，防雨防晒。