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电子顺磁共振的基本原理(一)

发布时间:2017-12-19 00:00 作者:中国标准物质网 阅读量:7412

1.物质的磁性

物质的磁性种类包括反(抗)磁性、顺磁性、铁磁性和反铁磁性。它们的强度数量级、磁化率X对外磁场的依赖性及起源见表20-1。

表20-1物质磁性种类及特性

物质的顺磁性是由分子的永久磁矩引起的,是由电子运动的角动量引起的。电子运动的角动量包括电子自旋角动量与电子轨道角动量,两者的数量级相同。但是由角动量引起的磁矩的数量级差别很大,前者远大于后者。

根据泡利原理,每个原子轨道或分子轨道上不能存在两个自旋态相同的电子,因而各个轨道上已成对的电子自旋运动产生的磁矩相互抵消,只有存在未成对电子的物质才具有永久磁矩,它在外磁场中呈现顺磁性。

2.名词术语

名词术语主要有电子顺磁共振(electron paramagnetic resonance, EPR)、电子自旋共振(electron spin resonance, ESR)、电子磁共振(electron magnetic reso-nance, EMR)。ESR的含义是电子自旋磁矩产生的磁共振,而EPR是电子自旋磁矩和电子轨道磁矩共同产生的磁共振,二者统称EMR。两者有所区别,但是在一般不特别强调其差别的情况下,EPR与ESR通用。

3.电子自旋产生自旋磁矩

电子是费米粒子,它的自旋量子数S=1/2,因此单个电子具有磁矩。与原子核磁矩的表达方法有所不同,电子磁矩用式(20-1)表示:

ue=-geβeS            (S=1/2)             (20-1)

式中,ge为无量纲因子,称为g因子(g值),自由电子的ge为2. 0023 ;βe为电子磁矩的单位,称为玻尔磁子,量值为
βe=eh/2mec=9.274 096×10-24 J/T            (20-2)

其中,e为电子的电荷;h 为约化普朗克常量;c为光速;me为相对电子质量。因此,自由电子的磁矩(指z分量的最大值)为

ue=-geβsS=-9. 2849×10-24 J/T            (20-3)

另外核自旋磁矩也可以类似的方法表示:

uN= gNβNI            (20-4)

uN = gNβNI= γhII             (20-5)

式中,I为核自旋量子数;βN为核磁矩单位,称为核磁子;gN为核朗德因子。所以对于1=1/2的核,

1H的核磁矩(指z分量的最大值)为

uH=1. 4106×10-26 J/T            (20-7)

4.电子自旋与磁矩在外磁场中的取向

1).电子自旋在外磁场中的取向

与核自旋一样,电子自旋在外磁场中有固定的取向,用磁量子数m描述。m-1/2时为α自旋,m=-1/2时为β自旋。角动量z分量用式((20-8)表示:

Pz =mh            (20-8)

电子自旋角动量的绝对值用式(20-9)表示:

电子自旋的取向及与I=1 /2的核的比较见表20-2。

表20-2电子自旋与核自旋比较

2).电子自旋磁矩在外磁场中的取向

由于电子带负电荷,电子自旋磁矩是负值,所以α自旋磁矩的z分量是负值,取向与外磁场相反;β自旋磁矩的z分量是正值,取向与外磁场相同,如图20-1所示。表达如下:

图20-1  电子自旋(S=1/2)磁矩在外磁场中的取向

电子自旋磁矩的绝对值为

值得注意的是,在核磁共振中遇到的I=1/2的核磁矩在空间的取向与S=1/2的电子自旋磁矩的取向规律正好相反,如图20-2所示。

图20-2  I=1/2的核磁矩在外磁场中的取向

5.塞曼分裂

由于电子自旋磁矩在外磁场中有两种取向,引起能量不同,形成两个能级。α态能量升高,β态能量降低。这就是电子自旋磁矩在外磁场中能量的塞曼分裂(Zeeman splitting),如图20-3所示。

I=1/2时,核磁矩在磁场中的能级图—塞曼分裂图,如图20-4所示。

图20-3  电子自旋(S=1/2)磁矩在磁场中能级图—塞曼分裂图

图20-4  核磁矩在磁场中能级图—塞曼分裂图

6.电子顺磁(自旋)共振

在外静磁场B0中的电子磁矩,如果在垂直于B0的方向上施加频率为hv的偏振的电磁波(微波),当满足下面条件

处于两能级间的电子发生受激跃迁,导致部分处于低能级中的电子吸收微波的能量跃迁到高能级。这就是电子顺磁(自旋)共振现象。

7.EPR (ESR)谱线的表示

与NMR图谱的表示方法有所不同,EPR (ESR)谱的横坐标为磁场,一般用毫特斯拉(mT),纵坐标可以用信号强度(称为吸收曲线),也可用信号强度对磁场的一阶导数曲线表示(称为一阶微分谱线),如图20-5所示。

图20-5EPR (ESR)谱的吸收谱线(上)和一阶微分谱线(下)*表示在微分曲线上应重点观察的地方,并注意它们与吸收曲线相应的位点

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