1、周期表ⅠA族金属吸附剂(scavenger)

周期表ⅠA族的金属(钠、钾)或合金熔体合金(镓、铟)类似，但是它的熔点更高(钠为97.8℃；钾为63.7℃)，其他如铷、铯属于稀有金属，过于昂贵，不太合适。

与镓铟合金使用方法不同的是，把周期表ⅠA金属(或合金)与聚合物(amberlite)载体混合一起，搅拌和加热得到粉状吸附剂(制备在惰性气体中进行)。所得到吸附剂中金属成分占聚合物的2％。本方法与镓铟合金方法相比，其优点是能够脱除烷类气体中C₁-C₄杂质。用氦气做试验，从氦气中配制的500～1000ppb C₁-C₄杂质含量，经吸附剂后， C₁-C₄杂质降到10ppb以下。研制的吸附剂装在图2.28中容器中；图2.29比较4种纯化方法的C₁-C₄杂质分析红外吸收结果。从图2.29中可以看到碳-氢键频率在2970cm-1处有C₁-C₄杂质峰，纯化效果很明显。

图2.28  金属吸附剂容器

30－惰性气体源;32－进气口；10－吸附剂容器；20－进气导管；18－吸附床；28－出口；其他略

2、电子用特气的脱除痕量水

由日本大阪Sanso Kogyo KK 2009年在欧洲的公开专利可知，涉及以下气体的脱除痕量水杂质：SiH₄、Si₂H₆、SiHC1₃、SiC1₄、AsF₅、PF₃、PF₅、NF₃、SF₆、WF₆、HF、AsH₃、PH₃、NH₃、HBr、HCl、SiH₂C1₂和BF₃。以HCl和HBr为例，相应的痕量水解离和分析示意图见图2.30和图2.31，而图2.32展示了BC1₃的精馏纯化示意装置。图2.33为砷烷纯化示意图。图2.34为氨气纯化示意图。表2.22列出了五种电子用气不同纯化方法的比较。

图2.29经外吸收比较4种脱除C_l-C₄ 杂质的吸附剂

A－树脂为载体的纯化剂(美国专利US 4950419) ; B－外购的商品纯化剂，商品牌号：Nanochem Gas Purifier San Jose, Calif. ;C－lppm C₁-C₄杂质标准；D－本专利吸附剂

图2.30  氯化氢气(HCl)中痕量水解离和分析

101－HCI气瓶；108－氮气进口；103－质量流量计；106－离解室；105－侧气路；107－分析仪器。

图中说明：104和105是研究痕量水的离解前后的比较

图2.31  溴化氢气(HBr)中痕量水解离和纯化

208－纯化后的HBr气瓶，其他略。图中说明：HBr经分子筛5A、4A、3A脱除痕量水后装瓶

图2.32  BCl₃精馏纯化示意图

505－精馏器冷凝塔;607－加热器；504－离解器；508－低沸点排放口；其他略

图2.33  砷烷纯化(吸附剂)示意图

805－吸附剂;801－原料砷烷瓶；808－纯化后砷烷

图2.34  氨气纯化示意图

1201－紫外灯；1202－铜粉200℃; 1203－低温纯化器

表2.22  五种电子用气不同纯化方法比较