石墨烯作为电子产品的基体已经引起了许多大公司的注意，例如IBM和三星，这主要是由于其电子迁移率-理论上高达200000cm2/Vs，而硅只有1400cm2/Vs，锑化铟有77000cm2/Vs，这意味着超高速的电子迁移方式。然而这个数字只是理论上的，现实中我们还有很长一段距离要走。但是这将可能使电子设备的速度提高将近1000倍，这是一个从千兆到太赫兹的跳跃，难怪人们对此非常期待。

三星采用的不同的方式，即在硅晶片上生长高质量的单晶石墨技术，被称为石墨烯研究历史上最显著的突破之一。和IBM公司的方法一样，这种技术制备的石墨烯片可用于微电子。由于电阻偏高，制造可行的设备似乎有些遥远，但是目前三星似乎更关心设备和屏幕的灵活性。

硅烯的另一个潜在优势就是半导体产业在过去60年对硅而不是碳已经非常了解。至少在理论上，这应该意味着所需要的工艺变化不那么激烈。虽然这一切看起来都很乐观，但是和石墨烯相比，硅烯的生产和处理过程绝对是噩梦。

如果将硅烯置于两维材料层之间以便保护它是可行的，但是这将需要开发新的生产工艺。其他新的二维材料，例谱线移位的影响因素。

1．光谱仪光谱线位移与波长、温度、湿度、压力变化之间有非线性函数关系，这种函数关系具有普遍适用性。其中零级光谱线随波长、温度变化产生的位移最大。

2．对于不同的光谱仪，光谱线位移随波长变化的趋势可能完全不同，这与光栅膜层的材料不同有关。光谱线位移值的大小与光谱仪质量与光路调节的好坏有关。

3．对于大多数不同型号的光谱仪，光谱线位移随温度的变化有相同的趋势；温度升高，光谱线位移增大。光谱线位移值的大小与光谱仪材料的热力学性质有关。