含Si-CH₂CH₂CF₃键的氟烃基硅烷，其红外光谱吸收峰位于1210cm^-1(强)、1130cm^-1、1070cm^-1、1025cm^-1及900cm^-1。硅氟键的键能见表5-1。

表5-1 Si-F键的键能

某些氟烃基硅烷的主要物性常数列于表5-2。

表5-2 氟烃基硅烷的物性常数

2.氟烃基硅烷精细化学品的化学性质

在卤烃基硅烷中，C-x键的反应活性按下列顺序：

≡C-I＞≡C-Br＞≡C-C1＞≡C-F

由于C-F键的化学活性很差，故氟烃基硅烷中的F很难被取代。实际上，人们合成氟烃基硅烷的目的，不在于C-F的反应活性，而在于它所赋予聚合物优异的耐油、耐溶剂、抗污、憎水、消泡及脱模性能。然而，氟的强电负性也可导致氟烃基硅烷中Si-C键能减弱，使其易受亲核试剂的进攻而断裂，反应式如下：

≡Si-CF₂CF₂Cl＋OH^-→≡SiOH＋-CF₂CF₂Cl

随着硅原子上氟烃基的增加，特别是多氟烃基的增加而更易受亲核试剂的进攻，例如，Si(CH-CF₂)₄在碱溶液作用下，Si-C键可全部断裂生成CF₂=CFH。在聚合物中也同样有此规律，如(HCF₂CF₂SiO_1.5)_n可被碱溶液分解生成HF₂CCHF₂。由于F、Si间的电负性相差很大，两者有强烈的亲和力，并使离硅原子较近(特别是β-位及α-位)的氟烃基硅烷的耐热性变差，如CF₂CICH₂SiCl₃在加热气化时即可分解成CFH=CFC1及SiFC1₃。

氟烃基硅烷抗亲核试剂进攻的能力，同样取决于氟原子对硅的相对位置，亦即Si-C键被亲核试剂进攻时，依F对Si的位置按β》α～γ>σ的顺序递降。可见户氟烃基硅烷是最不稳定的结构，它最易受亲核试剂及亲电子试剂的进攻，甚至简单加热下即可使Si-C键断裂。α-氟烃基硅烷对亲核试剂进攻的敏感性大为减弱，γ-氟烃基的作用与α-氟烃基相近，而。氟代的影响已很小。但从制备氟烃基硅烷的原料来源及合成工艺考虑，以γ-氟烃基硅烷较为方便，所得产物既有足够的抗亲核试剂进攻的能力，又能较长时间经受250℃高温。

氟芳基硅烷与氟烷基硅烷一样，在强电负性氟原子的影响下，使Si-C₆H₄F键易受亲核试剂进攻而断裂，尤其是≡Si-C₆F₅甚至在很弱的亲核试剂，如沸腾的乙醇作用下即可断裂。但是，CF₃C₆H₄-Si≡中的Si-C键对亲核试剂的进攻却比较稳定，在室温下能长时间(24h)经受NaOH-EtOH溶液的作用，对比C₆F₅-Si≡在相同条件下20min后Si-C键即全部断裂。当氟芳基硅烷中F与Si为对位，如在HCIO-MeOH水溶液中的断裂速度，比其他取代位置的硅烷要慢得多。但是中n Si-C键可被HNO₃所断裂。

氟烃基硅烷中的硅官能团(如Cl、OMe、OEt、H等)的化学性质如同相应硅官能有机硅烷一样，可进行相似的化学反应，不再赘述。