除了聚合物以外，很多小分子的有机氟化物，在电子工业中也有多方面的应用。表8.2列出了全氟烷烃和全氟醚类化合物在电子工业中的一些典型用途。

表8.2  含氟化合物在电子制造过程中的应用

一些含氟的有机化合物气体，如CF₄, CCIF₃, CHF₃和C₂F₆等，在制造微芯片的等离子蚀刻过程中，被用做蚀刻剂。与半导体制造过程所使用的所有其他化学品一样，这些气体蚀刻剂的纯度必须非常高，以避免杂质可能引起的对经过仔细计算和调整的半导体的电子参数的改变。

对以前使用的第一代液体蚀刻剂来说，有个问题始终没有解决，这就是它不能在硅晶片上蚀刻线性的“垂直墙”。这主要是由于它们的表面张力。蚀刻速度与被蚀刻部件的确切几何环境及接触表面的性质的关系太密切而引起。

相反，在各向异性的等离子蚀刻过程中，只要将保护好的晶片放入到通过对全氟烷烃放电所形成的等离子体系中，就可以很容易地得到线性的“垂直墙”，这主要是因为在这种情况下，蚀刻速度和晶片的晶体结构有关(图8.4)。在该等离子体系中，包含着各种不同的带有电荷的碎片，其中激发态的氟原子，能够将硅腐蚀成气相的四氟化硅(SiF₄)。对于通过193nm或157nm光蚀刻的微小晶片来说，等离子蚀刻是一道必不可少的工序。

图8.4  各向异性的等离子蚀刻过程中，使用液体或气体(等离子)蚀刻剂的比较

在制造微型机械元件过程中，通常需要进行与晶片表面平行的蚀刻。三氟化溴(BrF₃)可以作为这种特殊的各向异性蚀刻方式的蚀刻剂。由于三氟化溴的活性很高，在使用它作为蚀刻剂时，并不需要通过电活化形成等离子体系。

在典型的芯片制造过程中，为了在硅芯片的表面涂上各种功能膜，需要有一系列的化学气体沉积(CVD)的步骤。这些金属层(如钨)或电子元器件(如SiO₂,Si₂N₃、各种掺杂的氧化物、硅氮氧化物)是从活性的、气相的化学前体(如SiH₄、四乙氧基硅和六氟化钨等)沉积而成的。在每个沉积步骤后，在化学气体沉积过程中的一些留存在真空罐体系中的残留物，需要将它们除去。在传统的制造工艺中，通常是将生产线停下来，用手工溶剂清洗罐内残留物来完成的。这个过程相当耗时，对资本密集型的芯片生产线的来讲(FAB)，这种停工的浪费极不合算。现在沉积真空罐体中的残留物，可以通过用不同氟化合物的等离子体系来进行清洗。与在等离子蚀刻过程中一样，在这个“干”洗过程中，这些残留物被激发态的氟原子转化成挥发性氟化物而除去。常用清洁真空罐的气体包括NF3和现在常用的一些更低毒性的C₂F₆, C₃F₈及混合气体CF₄/O₂和L₂F₆/O₂。

有机氟化物除了这些在硅基电子元器件制造中的基本应用外，一些在以NMR为基础的定量计算中作为功能介质的定制的氟化工产品也正在研究之中。