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晶界层电容器陶瓷

发布时间:2016-09-20 00:00 作者:中国标准物质网 阅读量:1436

晶界层电容器陶瓷(Grain boundary layer capacitor ceramics)是一种以具有半导体性质的晶粒和绝缘性的晶界组成的电容器陶瓷。晶粒主晶相主要是BaTiO3和SrTiO3等铁电半导体。

1.产品性能

属铁电半导体,具有半导体性质的晶粒。具有高介电常数、低介质损耗、低容温变化率和高稳定性。是一种高比容的电容器陶瓷。材料的表观介电常数可达数万甚至十几万。

2.生产方法

由BaTi03或SrTi03为基体组成材料。引人施主掺杂物,如三价离子La3+、Y3+等取代Ba2+或Sr2+,以Nb5+取代Ti4+ 。在N 2+ H2还原气氛下烧结获得n型半导体陶瓷,然后在晶粒表面氧化或进行受主扩散形成一绝缘层。晶界绝缘的方法有两种,一种方法是将半导化剂和绝缘剂同时加人BaTiO3或SiTiO3的基料中,在适宜的温度和气氛中烧成,使晶粒半导化和晶界绝缘化同时完成,这种工艺称为一次烧成法。另一方法为二次烧成法,是在基体涂覆某种金属氧化物(如CuO, Bi203 , PbO等),在空气中热处理,使这些低熔氧化物沿晶粒边界扩散而形成一绝缘层。

3.产品用途

主要用于高频旁路耦合电容,在收录机、电视机等作为高比容、高稳定电子元件得到应用。

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