基于现代半导体材料的纯度要求越来越高，甚至是“理想”和“本征”纯度的材料，由J. V. Vininski等提出了一种新型纯化电子气中杂质的方法。这是一种把吸附剂放置于低温状态下的纯化器，见图2.40。

图2.40  氯化氢终端低温纯化器

110－预冷却器；112－进口；118－换热管；114－出口；130－终端纯化器；132－纯化器进口(与114连接);136－吸附剂容器；140－介质(吸附剂)。T₁,T₂,T₃分别为初始、中间和终端温度。上述氯化氢终端纯化器还包括再生吸附剂装置和真空泵纯化的流体从前置冷却器的112处进入，流体通过前置冷却器冷却后，进入装有吸附剂的冷却器内(－200～0℃)，最后纯化的流体直接与半导体工艺设备连接。在吸附剂容器136内装入吸附剂140可以是分子筛、活性炭和P-ULE碳。

在图2.41中，可以看到随着温度上升到40℃，继之60℃，水分呈现明显升高。

图2.41  氯化氢的提纯介质与温度关系(1)

图2.42  氯化氢的提纯介质与时间、温度关系(2)

图2.42中，14到15小时内，氯化氢脱水不明显，含水量大约0.1ppm；放入-20℃低温冷阱后，在横坐标16小时处大约降到0.05ppm以下；再换低温-45℃、-55℃低温冷阱后，在横坐标18小时处，氯化氢中水分只有0.01～0.02ppm(基本接近纵坐标“0”处)。从图2.42可以知道低温终端器温度越低，脱除杂质效果越显著，从图可知系统中水分下降很慢。

图2.43  氯化氢的提纯介质与时间、温度关系(3)

图2.42与图2.43不同之处是，氯化氢中水含量的多少，前者与冷阱的温度有关；而后者则与时间有关。比较氮气和氯化氢两种气体采用低温纯化器做试验，其中氮气从4.6ppm很快下降到0.2ppm。而氯化氢气体经过低温终端纯化器后，水的含量由0.1ppm下降到0.01ppm。

当电子气贮存在离子液体内，由离子液体向使用电子气工艺释放时，还需脱除少量残存的离子液体，这时低温终端纯化器还能够脱除离子液体残留物，尽管离子液体是一种高相对分子质量、低熔点和低蒸气压的液体。

多种电子气体用低温法纯化与被脱除杂质气体之间关系见表2.23。

表2.23  低温吸附法提纯电子气/流体(引自US 0086247/2006)

从表2.23中可以看到低温吸附法提纯电子气/流体方法，在半导体工艺应用很广。