1．乙硅烷

乙硅烷在实验室制造一般采用辉光放电方·法，工业上都使用硅烷的副产品提纯。其反应方程式如下：

2Mg₂Si+8NH₄Cl→Si₂H₆＋4MgCl₂＋8NH₃＋H₃

该专利特征是生成的硅化物在400～500℃下合成，生成高阶硅化镁Mg₂Si₂。这种硅化镁有利于乙硅烷的生成。生产工艺见图2.44。

图2.44  乙硅烷生产工艺流程

1－硅化镁、氯化铵加料系统；2－液氨储罐;3－反应釜;4－冷凝器；5－粗硅烷提纯系统;6－硅烷深提纯装置；7－乙硅烷液化装置；8－乙硅烷提纯装置

生产工艺流程如下：硅化镁和氯化镁在液氨介质中反应生成乙硅烷，经冷阱和吸附塔5,8提纯得高纯乙硅烷，最后装瓶；乙硅烷的副产品为(甲)硅烷，经吸附剂6提纯装瓶。

得到的乙硅烷分析结果如下：纯度99.999％; O₂+Ar= 1ppm, H₂=12ppm,N₂＝0.5ppm，CO₂＝0.11ppm，CO＝0.18ppm，H₂O＝0.1ppm；颗粒＜10个/ft³(>0.1um)。(作者注：该方法含甲烷很高)

2．乙硼烷

天津泰亨气体有限公司于2010～2011年公开3篇专利，采用精馏-吸附组合方法研制高纯硼烷，见图2.45、图2.46。

图2.45  乙硼烷精馏提纯流程

1－原料气进口;2－再沸器;3－填料塔;4－冷凝器;5－低沸点杂质排放管;6－高纯B₂H₆取出口;7－产品接收槽;8－高沸点杂质排放管;9－外装填料塔冷却套;10－外接再沸点加热套;11－阀门;12－连接管道

图2.46  乙硼烷吸附提纯流程

1－粗B₂H₆气瓶;2－干燥器;3－吸附器;4－真空泵;5－尾气回收器;6－产品收集器

本方法适用于制取粗B₂H₆。粗B₂H₆中含有比B₂H₆沸点低的H₂,N₂,O₂,Ar, CH₄等杂质，以及比B₂H₆沸点高的(C₂H₅)₂O, CH₃Cl, CH₃Cl, C₂H₅Cl,B₄H₁₀,B₅H₉,B₄H₁₁等杂质，这些杂质可以通过蒸馏而被除去。但是经常含有的CO₂(-78.5℃)和CH₆(-69℃)，它们在常压下的沸点与B₂H₆的沸点-92.5℃接近，用普通蒸馏法很难分离，该专利采用吸附法对其进行分离。图2.14中，通过再沸器2气化粗B₂H₆，接着在充填有均匀细孔的吸附剂的填料塔3中，吸附除去不易分离的CO₂,C₂H₆等杂质，同时，回流液与对流液接触后，在安装于塔上部的冷凝器4中冷凝、回流，排放出杂质成分后进行精馏，由塔顶收集纯B₂H₆。

粗B₂H₆通过原料气进口管1输送到精馏塔再沸器2蒸发，作为上升蒸气。在填料塔3中进行精馏，在塔顶形成高沸点杂质含量较低的B₂H₆蒸气。蒸气在冷凝器4中冷凝回流，低沸点成分通过安装在冷凝器4上部的流量调节阀由低沸点杂质排放管5放出除去，纯化的液体B₂H₆通过流量调节阀抽出，储存到产品接收槽7。在塔釜内形成含高沸点杂质的液体，通过阀门11排出。

分析结果见表2.24。

表2.24  高纯硼烷分析结果

日本住友精化公司于2011年公开一项专利，采用硼烷的原始合成方法对硼烷的提纯进行了改进。原来的硼烷含有甲烷和氯甲烷杂质很不好纯化，由于这两种杂质而增加纯化成本，经过改进的方法，方程式如下：

7NaBH₄＋BCl₃→4Na₂B₂H₇＋3NaCl

6 Na₂B₂H₇+2BC1₃→7B₂H₆＋6NaCl

3NaBH₄＋BCl₃→2B₂H₆+3NaCl

经过改进的方法，不产生甲烷。结果产物中甲烷含量＜0.01％;氯甲烷含量为1.36%硼烷纯度为98.4％。